TP1 VLSI : Simulation Electrique

Objectifs

• Dans un premier temps, vous allez utiliser le simulateur eldo et l'interface de visualisation ezwave pour observer les caractéristiqes statiques et dynamiques du transistor NMOS et de l'inverseur CMOS.

• Dans un second temps vous allez étudier l'influence de la charge (nombre de portes attaquées) sur le temps de propagation d'un inverseur, puis d'un inverseur suivi d'un buffer.

• En dernier lieu, vous allez observer l'influence de la résistance des fils d'interconnexion sur les temps de propagation.

Pour utiliser les outils eldo et ezwave vous devez être logué sur unne machine de type Solaris ( par exemple rachmaninov)

>ssh <nom_de_machine>

et avoir fait

>source ~jeanlou/VLSI2006-2007/TD-TME/S2/edo.sh

Exercices

La plupart des fichiers sont fournis, vous devez comprendre ce qui est écrit dans ces fichiers, seules des modifications mineures vont sont demandées.

Exercice 1 Caractéristiques du transistor NMOS

• Copiez le fichier polar_nmos.spi (~jeanlou/VLSI2006-2007/TD-TME/S2) dans votre répertoire
• Analysez le contenu de ce fichier
• Lancez la simulation par

  >eldo polar-nmos.spi
  

lors de cette simulation la tension VDS=3.3V et on fait varier la tension VGS de 0 à 3V et on mesure le courant IDS

Question 1

Déterminez la tension de seuil à partir de laquelle le transistor commence à être passant.